用三铽氢硅和四諷化硅混合源生产多晶硅的方法,是一项中国发明专利,涉及一种全新的氢 还原生产多晶硅的工艺。首先,在的干燥惰性气体保护下对三氣氢硅、四氣化硅进行精炼纯化,其纯度达到; 同时对氢气也进行纯化到，然后,将上述物料按照硅转化率及氣氢比0.15%所规定的流喷人氢还原炉,其还原 温度控制在1145〜1155°C ,炉身、炉底温度保持在150°C ; 最后,在炉内硅棒上制得低成本、高 质量、高产率的产品多晶硅。该方法充分利用生产过程产生的等,达到既保证高质 量、高产率,又降低原材料工业硅、氢气及氣气的消耗,从而降低该成本。
答：四氯化硅的用途有以下几种。（1） 四氣化硅是制备多晶硅的重要原料。在多晶硅生产中，是利用氢气将纯净的四氣化硅带人还原炉内，使四氯化硅与氢气发生还原反应。也就是说...详情>>
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