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反映烧结碳化硅是POpper于20世纪50年代发明的,其基本原理是:具有反应活性的液硅或硅合金,在毛细管力的作用下渗入含碳的多孔陶瓷素坯,并与其中的碳反应生产碳化硅,新生成的碳化硅原位结合素坯中原有的碳化硅颗粒,浸渗剂填充素坯中的剩余气孔,完成致密化的过程。
SiC是一种共价键很强的材料,烧结时的扩散速率相当低,同时其颗粒表面往往覆盖一层相当薄的氧化层,起扩散势垒的作用,没有烧结添加剂,纯SiC是很难烧结致密的,即使用热压工艺也必须选择合适的添加剂,在相当高的温度下(1950~2200℃)才能制得接近理论密度的适合工程用的材料,而且形状和尺寸收到限制,气相浸渗或沉积虽然可得到优良的SiC复合材料,但只限于制备那些对密度要求不高或薄层材料,而且漫长的沉积...
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SiC是一种共价键很强的材料,烧结时的扩散速率相当低,同时其颗粒表面往往覆盖一层相当薄的氧化层,起扩散势垒的作用,没有烧结添加剂,纯SiC是很难烧结致密的,即使用热压工艺也必须选择合适的添加剂,在相当高的温度下(1950~2200℃)才能制得接近理论密度的适合工程用的材料,而且形状和尺寸收到限制,气相浸渗或沉积虽然可得到优良的SiC复合材料,但只限于制备那些对密度要求不高或薄层材料,而且漫长的沉积时间,使成本大大提高。
碳化硅陶瓷具有高温强度大、抗yang化性强、耐磨损好、热稳定性好、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,因此,已被广泛应用于各种领域,例如:SiC陶瓷在石油化学工业中被用作各种耐腐蚀用容器及管道,机械工业中被成功地用作各种轴承、切削刀具和机构密封部件;在宇航和汽车工业中也被认为是制造燃气轮机、火箭喷嘴和发动机部件zui有希望的候选材料