半导体三极管的主要参数有哪些?
半导体三极管的主要参数有哪些?
半导体三极管的性能用参数表示,这是选用半导体三极管的 依据。主要参数如下: 1。电流放大系数 电流放大系数是表示半导体三极管的电流放大能力的参数。 常用半导体三极管的值一般在20〜200之间。由于制造工艺的 离散性,即使同一型号的半导体三极管,其值也有很大的差别, 使用前应予以测试。
2。穿透电流ICE。 穿透电流Le0是指基极开路、集电结反向偏置时, 集射两极间的反向电流。在选用半导体三极管时,愈小,管 子对温度的稳定性愈好,工作愈稳定。 3。集电极最大允许电流ICM 集电极电流上升趋近某一定值时,半导体三极管值就要下降,为了使值下降不超过正常允许值时的集电极的最大允许电流。
4。反向击穿电压UcE0(BR) 基极开路时,在集射极之间的最大允许电压值,称为集射极 反向电压。当uCE超过此值时,半导体三极管会被击穿而损坏。 温度升高时,CE0(BR) 值会下降。 5。集电极最大允许耗散功率PCM 集电极电流通过晶体管时引起功耗,并使集电结发热,结温 升高,为了限制温度不超过允许值,而规定集电极功耗的最大 值,称为集电极最大允许耗散功率PCM。
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