在单晶硅拉制前，首先要进行清洁处理。对多晶硅回炉料、石英坩埚和籽晶等的清洁处理，其实就是化学处理。化学处理的目的主要是去除表面的氧化物和附着物。对多晶硅回炉料、石英坩埚和籽晶等的腐蚀，主要是靠硝酸（HN03）和氢氟酸（HF）。硝酸有强的氧化性，能使硅的表面氧化，氢氟酸能将硅的氧化物及其他杂质腐蚀掉。
  在生产过程中，有些腐蚀往往需要先用碱煮一下，这是因为碱去胶能力强，可以去除表面牢固的黏结物。生产单晶硅要用到石墨件，石墨的内部结构为颗粒状，存在很多的空隙，容易吸附较多的有害气体和杂质，所以使用前要经过真空高温处理，以减少石墨件所引人的沾污。
  具体的化学处理包括化学腐蚀、清洗和烘干三步。先将多晶硅砸成大小符合生产单晶硅要求的硅块，用硝酸，氟酸，蚀液腐蚀，待硅与酸起反应数分钟后用去离子水冲至无酸性为止，洪干待用回炉料先将问炉料放在10%〜20%的氢氧化钠（NaOH）碱液里，将碱液煮开，再用自来水沾洗，然后用硝酸（HN03）氢氟酸（HF）混合腐蚀液腐蚀，圾后用去离子水冲至无酸性为止，烘干待用好晶新籽晶的处理方法同回炉料，旧籽晶的处理方法与多晶硅处理方法相同石英坩埚① 新的石英坩埚先用自来水沾洗，去除表面的灰尘等物。
  然后用鉍氟酸（HF）a泡数分钟，敁后用去离子水冲至无酸性为止，烘干待用。② 旧的石英坩埚先用10%〜20%的氢辄化钠（NaOH）碱液赉，去除坩埚内壁黏附的硅渣，然后用硝酸（HN3）氟酸浞合腐蚀液腐蚀，圾后用去离子水冲至无酸性为止，烘干待用合金。
  ① 硅磷合金。用10%〜20%的氢氧化钠（NaOH）碱液煮2次，用去离子水冲至无碱性为止，供干② 硅硼合金。同硅磷合金的腐蚀方法③ 纯锑。用盐酸（HCU泡10〜20min,用去离子水冲至无酸性，然后用无水乙醉脱水，烘干。或用10%〜20%的S铒化钠（NaOH）碱液煮2次，用去离子水冲至无碱性，扱后用无水乙醉脱水。