NMOSFET DS击穿
NMOSFET D S击穿 都是什么原因引起的呢? 如何避免? 请高人指点。
你好: ——★1、N MOSFET场效应管的源极(D)、漏极(S)之间击穿,主要是:①、管子的耐压较低,或存在缺陷;②、管子的负载有较大的电感,被较高的感应电动势所击穿。 ——★2、如果负载为感性负载,应加装二极管或电解电容来吸收感应电动势。另外,场效应管栅极(G)的“输入阻抗”极高,很容易击穿,要加装保护的,如并联(10V)稳压管。
答:二次击穿是一种热失控,一旦温度升高,电导率将进一步提升,从而造成恶性循环,最终严重损毁晶体管的结构详情>>
答:煤矿井下作业人员上岗前,对其进行的安全生产教育和培训时间不得少于72学时;考试合格后,必须在有安全工作经验的职工带领下工作满4个月,并经实践考核合格后,方可独立...详情>>
答:核电站也有建设在内陆的,民用核电站主要集中在沿海地区,是因为这些地方经济发达,相对电力资源紧缺。 核电站运行期间可能会出现放射性物质泄漏,为保证安全,需要5~1...详情>>
答:他在接触新环境的过程中,头脑非常冷静,不易感情用事,能把每件事处理得头头是道详情>>