半导体激光器的发展与运用有哪些?
半导体激光器的发展与运用有哪些?
半导体激光器10.4第二阶段半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器,它是由两种不同带隙的半导体材料薄层,如GaAs,GaAlAs所组成,最先出现的是单异质结构激光器(1969年).单异质结注人型激光器(SHLD)是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内,以此来降低阀值电流密度,其数值比同质结激光器降低了一个数量级,但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作
答:它们的结构简单说就是三明治的夹心结构,中间的夹心是有源区。 二者的结构上是相似的,但是LED没有谐振腔,LD有谐振腔。 LD工作原理是基于受激辐射、LED是基于...详情>>