半导体激光器发展历史有哪些呢?
半导体激光器发展历史有哪些呢?
面发射激光器在室温下达到亚毫安的网电流,8mW的输出功率和11%的转换效率[2)前面谈到的半导体激光器,从腔体结构上来说,不论是F一P(法布里一泊罗)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔,激光输出都是在水平方向,统称为水平腔结构.它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下表面镀上反射膜构成了垂直方向的F一P腔,光输出沿着垂直于衬底片的方向发出,垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)是一种新型的量子阱激光器,它的激射阔值电流低,输出光的方向性好,藕合效率高,通过阵列化分布能得到相当强的光功率输出,垂直腔面发射激光器已实现了工作温度最高达71℃
答:随着异质结激光器的研究发展,人们想到如果将超薄膜(20nm)的半导体层作为激光器的激括层,以致于能够产生量子效应,结果会是怎么样?再加之由于MBE,MOCVD技...详情>>