1）碳化硅衬底的制作流程一般包括【原料合成】、【晶体生长】、【晶锭加工】、【晶棒切割】、【晶片研磨】、【抛光】、【清洗】等环节。其中晶体生长阶段为整个流程的核心，决定了碳化硅衬底的电学性质。晶体生长目前主要有【物理气相传输法（PVT）】、【高温化学气相沉积法（HT-CVD）】和【液相法】三种方法。
2）其中液相法生长晶体因尺寸较小目前仅用于实验室生长，综合生长条件控制、生长效率、缺陷控制等因素，商业化的技术路线主要是PVT和HT-CVD，与HT-CVD法相比，采用PVT法生长的碳化硅单晶所需要的设备简单，操作容易控制，设备价格以及运行成本低等优点成为工业生产所采用的主要方法。
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答：有个疼爱自己的老公,有健康可爱的孩子,有爱着自己的父母,一家人和平相处,我觉得这是我目前最想要的幸福.详情>>
问：什么程度的帕金森患者可以服用进口药“森福罗”我母亲患帕金森已经很多年了，目前影响...
答：你母亲在疾病后期左旋多巴的疗效逐渐减弱或者出现变化和波动时，可以用德国引进的新药名为“森福罗”。（注意事项）：肾功能损害患者的用药：普拉克索的清除依靠肾功能。对...详情>>
