肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 详细情况见：
1.它可以比普通的二极管通过电流的能力强 2。它的结电容小 3。但它的耐压能力低 4它可以通过高频电流
肖特基二极管与普通二极管最显著的不同是 1：正向导通压降比普通二极管低，故低功耗。 2：反向恢复时间比普通二极管短，故工作频率高。 3：反向耐压比普通二极管低，一般低于200V。
肖特基二极管的压降比普通二极管低。与PN结型晶体二极管相比，肖特基二极管的开启电压低，电荷储存效应小，适于高频工作。还具有损耗小、噪声低、检波灵敏度高、稳定可靠等特点，在微波通信和雷达中用于混频、检波、调制、倍频以及超高速开关、低噪声放大等。
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