从原理上来说，闪存是EPROM(电可擦除程序存储器)的一种，它使用浮动栅晶体管作为 
基本存储单元实现非易失存储，不需要特殊设备和方式即可实现实时擦写。闪存采用与CMOS工艺兼容的加工工艺，现在大多数闪存采用的是0。5mm、0。35mm工艺，三星已经推出了0。
  27mm工艺的闪存，不久0。25mm工艺也将实现。随着集成电路工艺技术的发展，闪存内部电路密度越来越大，每个晶体管的存储字节数也越来越多，从而使闪存的容量不断增大，目前已经有容量达1GB的闪存芯片。近几年各种形式的基于闪存的存储设备如雨后春笋般诞生，它们的外形结构丰富多彩，尺寸越来越小，容量越来越大，接口方式越来越灵活。
  
闪存结构与工作原理 
　　贮存电荷的浮动栅包裹了一层硅氧化膜绝缘体。因此进入浮动栅的电子即便关闭电源也不会泄漏。不过，由于氧化膜的老化，可擦写次数有限制，约为100万次。另外，写入时需要9V左右的高电压。 
写入速度慢、可擦写次数有限，闪存的上述缺点是由其数据恢复结构造成的。
   
　　闪存采用的结构是：在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
   
　　闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。 
　　写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。
  这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。 
　　读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。
  而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。 
　　如上所述，由于闪存要进行“突破氧化膜”这一剧烈动作，因此速度和可擦写次数均存在一定的限制。随着反复的写入，氧化膜就会老化。
  闪存可擦写次数一般被限制在100万次左右。
。