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电容的两个极板原来可以说是中性的。 与正极相边的那个极,由于正极聚集大量正电荷,电势高,会吸引极板的一部分负电,这样这个极板上因缺少负电而带了正电。看起来好象是是电源的正极给它充电了。 负极正好相反,由于负极聚集大量负电荷,电势低,会跑到与负极相连的极板上,这样这个极板上因多了负电而带了负电。
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不同的电介质影响电容量的大小。不同的电介质有不同的相对介电常数,相对介电常数越大,电容量也越大。真空的相对介电常数为1,空气接近1,其它材料的相对介电常数见:
侦测电容值的变化可以通过与之相连的电子回路测量得到,再经由A/D控制器转为数字讯号让计算机做运算处理取得(X,Y)轴位置,进而达到定位的目地
但是当栅极电容随着MOSFET尺寸变小而减少,同样大小的芯片上可容纳更多晶体管时,连接这些晶体管的金属导线间产生的寄生电容效应就开始主宰逻辑门的切换速度
选频回路可以电容变化,也可以电感变化,也可以同时变化。电容电感在变化时,电路频率是变化的,其变化频率的范围就是频带的上下边界,就是通频带。
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电容的标称值是在常温下测的,在高温或低温下电容容量变化很大,拿瓷片电容来说,I类和II类稍微好的,III类电容随温度变化容量有80%的差异,所以要根据自己电路的实际需求选择合适的电容类型。
容抗是否会消耗电能编辑电流通过电容时,当电容两端电压增大,电能转变成电场能,当电容两端电压减小时,电容中的电场能又转变成电能
刚接通时电源通过电阻对电容充电。随着充电完成电流逐渐减小,最后消失。所以………………
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Vc=E(1-e-(t/R*C)) 从得到的公式看,只有当时间t趋向无穷大时,极板上的电荷和电压才达到稳定,充电才算结束。但在实际问题中,由于1-e ^-t/(RC)很快趋向1,故经过很短的一段时间后,电容器极板间电荷和电压的变化已经微乎其微,即使我们用灵敏度很高的电学仪器也察觉不出来q和u在微小地...
同轴圆柱形电容器单位长带电荷±λ时,电场是不均匀的,内圆筒表面场强E最大 由高斯定理可以得到: E=λ/2πεR1 因为,内外圆筒间电压U=(λ/2πε)ln(R2/R1) 所以,E=U/R1lnR2/R1 当U为电容器的耐压值,E即击穿场强。R1,R2是内外圆筒半径。
电容变大 公式 @S/4π K D @就为中间插的东西
其实这是一个非常矛盾的问题,设想把电容器两板距离无限拉远,但保证其电荷不变,这时就出现了问题,因此,本规律应在完全理想的状态下推导的,即电容的所有能量全部集中在两板之间,不向外界扩散,有的这个大胆的理想状态,下面我用能量的观点来解释一下,设想你用手把电容两板距离拉开(缓慢拉开),你对电容做了功(因为...
因为电容值和极距之间是反比例关系,只能取极距变化的一个小区间来近似线性。当取极距变化量一定时,静态极距越小传感器越灵敏,但非线性也越大,你自己画出反比曲线就一目了然了。
一般的电容,大多数是正温度系数,即温度上升了容量变大。陶瓷电容一般是负温度系数,温度升高容量变小。
电感中的电流不可能无限制地加大。受导线电阻的影响,电流大了,电感中的电阻要消耗功率,并放出热量;电感会受到磁饱和的影响。空心线圈一般不考虑磁饱和,但铁芯线圈、铁氧体芯线圈,就比较容易出现磁饱和。当进入饱和区,电感量就会大大减小。 电容器的电压也不能无限制地提高。电压过高,电容器的漏电流就会增...
比如,物体做变加速运动,加速度减少,而速度可能增加! 也就是速度的变化率减小,而速度不减小
电容的本质就是两个导电体之间有绝缘物质存在,保持有电场,所以加入金属板后,电容变小。加入玻璃板后电容变大。 因为放入玻璃后,玻璃和极板的接触面上会产生极化电荷,总体来看等效电荷少了,电场强度小了,故相同电压下能贮存的电量多了。不同的电介质都有不同的相对介电常数,玻璃的大约在6左右。
电解质,数值提高,同时相对面积变大,电容数值就跟着变大了。注意,主要是面积变大,跟着变化的也就多。