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c1969三极管参数

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c1969三极管参数


        

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  • 2023-11-06 05:00:00
    c1969三极管的参数如下 VCBO集电极-基极电压<35V,VEBO发射极-基极电压<4V,VCEO集电极-发射极电压<17V,IC集电极电流<1.2A,耗散功率:PQ=6.0W,最高工作频率:175MHz。
    c1969三极管参数
    类型:NPN三极管总耗散功率(Ptot):20 W集电极电流(IC):6 A集电极与基极反向击穿电压(BVCBO):60 V芯片材质:硅

    东***

    2023-11-06 05:00:00

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