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空间电荷区也称耗尽层.在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区,它就是空间电荷区.中文名空间电荷区别称耗尽层原因自由电子的扩散运动和内电场性质很薄的电荷区1基本概念2基本特性空间电荷区基本概念编辑空间电荷区也称耗尽层,在PN...
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同时在电场作用下,P型半导体中的少数载流子电子被吸引到半导体的表面,并被空穴所俘获而形成负离子,组成不可移动的空间电荷层(称耗尽层又叫受主离子层)
空间电荷区:由于扩散运动使得PN结交界面产生一片复合区域,可以说这里没有多子,也没有少子
空间电荷区也称耗尽层.在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区,它就是空间电荷区.中文名空间电荷区外文名SpaceChargeLayer别称耗尽层原因自由电子的扩散运动和内电场性质很薄的电荷区1基本概念2基本特性空间电荷区基...
但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了
空间电荷区基本特性编辑(1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散
SPcM-AQRH-10,SPcM-AQRH-11,SPcM-AQRH-12,PcM-AQRH-13,SPcM-AQRH-14,SPcM-AQRH-15,SPcM-AQRH-16,c30902SH,c911,c1311,c1911,c922c1322c1922c943c1343c1943c984,c...
是靠多数载流子(即N区内的电子和P区内的空穴)的不断扩散来维持的。正向偏置只是使得扩散能够更顺利,即正向电流更大。如果正向电压大得将空间电荷区完全中和掉,那PN结早已由于电流过大而烧坏了。
(2)在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗殆尽了,因此,空间电荷区又称为耗尽层
介质损耗根据形成的机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗
这几个 用在除尘设备上的吧。 “比电阻”也叫电阻率。电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。用某种材料制成的长为1米、横截面积为l米的导体的电阻,在数值上等于这种材料的电阻率。高比电阻,就是电阻率很高的粉尘等材料。 “反电晕”是指沉积在收尘极表面上的高比电阻粉尘产生局部放电的现象。在电...
中性不中性的我不知道。 PN结具有单向导电性,正向导通,反向截止。 就是P区接“+”,N区接“-”,这个时候,线路是导通的。反之不通了。
空间电荷区,也就是“阻挡层”--由N区的电子和P区的空穴在交界处向对方扩散所形成。使原本不带电的半导体,在交界处形成一个由N区(由P区扩散来的空穴)指向P区(由N区来的电子)的内建电场,并阻挡这些多数载流子的进一步扩散。这个阻挡层是有一个宽度的。当P型半导体加上直流电源的正极、N区加上直流电源的...
B. 由于加上正向电压,外电场抵消了PN结的内建电场,所以空间电荷区变窄。
首先应该理解PN结的形成,PN结是由于电子和空穴从高浓度向低浓度扩散形成的,即P型区的空穴向N型区扩散,N型区的电子向P型区扩散。最后形成空间电荷区空间电荷区的分布是靠P型区的是电子,靠N型区的是空穴。其中空间电荷区会形成有N型区指向P型区的内电场。然后当接入正向电压,正向电压产生的电场抵消了内电场...
1)当正向偏置的时候,在外电动势的作用下,电子从与空穴的结合中脱离出来,离开空穴,向正极移动去了,当然也可以理解为,空穴离开了电子,向负极移动开去。 2)PN结的内电压随PN界的材料不同而不同,常用的两种材料:锗材料起始导通电压约为0.07伏,完全导通约为0.15伏,通常标称为0.1伏。硅材料起始导...
PN结允许通过的电流是有限制的,实验时必须根据这点串电阻采取限流措施否则会烧毁PN结.
3个回答
P区一侧出现负离子区,N区出现正离子区,它们基本上是固定的,称为空间电荷区
X线管阴极的灯丝因热作用而产生电子发射,但由于靠近灯丝装有阴极聚焦罩,使灯丝周围电场极不均匀,造成电子初始动能具有较大差异。同时在工作时,管壳内壁聚集大量负电荷,不同程度上抵制电子流飞向阳极,所以从灯丝发射出来的电子不可能全部抵达阳极。这种在灯丝表面附近滞留的部分电荷称为空间电荷。