非晶硅薄膜电池PIN节如何形成电池的?
非晶硅薄膜电池PIN节如何形成电池的?
a-Si太阳电池基本结构不是pn结而是pin结。掺硼形成p区,掺磷形成n区,i为非杂质或轻掺日的本征层(因为非掺杂a。s是弱n型)。重掺杂的p、n区在电池内部形成内建势,以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触,为外部提供电功率。i区是光敏区,光电导/暗电导比在105-106,此区中光生电子空穴是光伏电力的源泉。非晶体硅结构的长程无序破坏了晶体硅光电子跃迁的选择定则,使之从间接带隙材料变成了直接带隙材料,对光子的吸收系数很高,对敏感光谱域的吸收系数在1014cm-1以上,通常0.5µm左右厚度俏a-Si就可以将敏感谱域的光吸收殆尽。所以,p/i/n结构的a-Si电他的厚度取0,5µm左右,而作为死光吸收区的p、n层的厚度在10nm量级。