r18芯片组支持的内存 ddrii 667mhz ，所以最好不要升级到ddr3大多是1066频率以上的，
而且最重要的，你电脑主板上的二代内存插槽无法插上三代的内存条，内存条ddr一代、二代、三代的卡槽开口不一样 。因此即使你买了三代的内存条也插不上。
区别大了，具体区别你可以随便找一个d2的内存看看，然后再看看d3的，网上多的是，你会发现参数有很多不同。一般笔记本出场时是ddr2的内存那一般情况下ddr3的内存是插不上的，而不是兼容不兼容的事了，不出意外的话你的笔记本只能差ddr2的内存，如果你想看看d2和d3的具体差别的话，我给你复制一些资料，你有兴趣的话可以看看！
ddr3与ddr2的不同之处
1、逻辑bank数量
ddr2 sdram中有4bank和8bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而ddr3很可能将从2gb容量起步，因此起始的逻辑bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑bank做好了准备。
2、封装（packages）
ddr3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球fbga封装，16bit芯片采用96球fbga封装，而ddr2则有60/68/84球fbga封装三种规格。
并且ddr3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（bl，burst length）
由于ddr3的预取为8bit，所以突发传输周期（bl，burst length）也固定为8，而对于ddr2和早期的ddr架构的系统，bl=4也是常用的，ddr3为此增加了一个4-bit burst chop（突发突变）模式，即由一个bl=4的读取操作加上一个bl=4的写入操作来合成一个bl=8的数据突发传输，届时可通过a12地址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在ddr3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
3、寻址时序（timing）
就像ddr2从ddr转变而来后延迟周期数增加一样，ddr3的cl周期也将比ddr2有所提高。
ddr2的cl范围一般在2至5之间，而ddr3则在5至11之间，且附加延迟（al）的设计也有所变化。ddr2时al的范围是0至4，而ddr3时al有三种选项，分别是0、cl-1和cl-2。另外，ddr3还新增加了一个时序参数——写入延迟（cwd），这一参数将根据具体的工作频率而定。
4、新增功能——重置（reset）
重置是ddr3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。dram业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在ddr3身上实现。这一引脚将使ddr3的初始化处理变得简单。
当reset命令有效时，ddr3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在reset期间，ddr3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，dll（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来，将使ddr3达到最节省电力的目的。
5、新增功能——zq校准
zq也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（odce，on-die calibration engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与odt的终结电阻值。
当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和odt电阻进行重新校准。
6、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号vref，在ddr3系统中将分为两个信号。
一个是为命令与地址信号服务的vrefca，另一个是为数据总线服务的vrefdq，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
7、根据温度自动自刷新（srt，self-refresh temperature）
为了保证所保存的数据不丢失，dram必须定时进行刷新，ddr3也不例外。
不过，为了最大的节省电力，ddr3采用了一种新型的自动自刷新设计（asr，automatic self-refresh）。当开始asr之后，将通过一个内置于dram芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。
而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过ddr3的asr是可选设计，并不见得市场上的ddr3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（srt，self-refresh temperature）。
通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于dram内部设定的这两种温度范围，dram将以恒定的频率和电流进行刷新操作。
8、局部自刷新（rasr，partial array self-refresh）
这是ddr3的一个可选项，通过这一功能，ddr3内存芯片可以只刷新部分逻辑bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。
这一点与移动型内存（mobile dram）的设计很相似。
9、点对点连接（p2p，point-to-point）
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与ddr2系统的一个关键区别。在ddr3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。
因此内存控制器与ddr3内存模组之间是点对点（p2p，point-to-point）的关系（单物理bank的模组），或者是点对双点（p22p，point-to-two-point）的关系（双物理bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
而在内存模组方面，与ddr2的类别相类似，也有标准dimm（台式pc）、so-dimm/micro-dimm（笔记本电脑）、fb-dimm2（服务器）之分，其中第二代fb-dimm将采用规格更高的amb2（高级内存缓冲器）。不过目前有关ddr3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。
除了以上9点之外，ddr3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计。
答：装一遍驱动,不行装系统,再不行考虑硬件故障.详情>>
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