IGBT的主要作用是什么

IGBT是双极型晶体管（ BJT ）和 MOSFET 的复合器件， IGBT将BJT的电导调制效应引入到 VDMOS 的高祖漂流区，大大改善了器件的导通特性，同时它还具有MOSFET 的栅极高输入阻抗的特点。IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的功率晶体管。 绝缘栅双极型晶体管本质上是一个场效应晶体管，在结构上与功率MOSFET 相似，只是在员工率MOSFET 的漏极和衬底之间额外增加了一个P+...

IGBT是双极型晶体管（ BJT ）和 MOSFET 的复合器件， IGBT将BJT的电导调制效应引入到 VDMOS 的高祖漂流区，大大改善了器件的导通特性，同时它还具有MOSFET 的栅极高输入阻抗的特点。IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的功率晶体管。 绝缘栅双极型晶体管本质上是一个场效应晶体管，在结构上与功率MOSFET 相似，只是在员工率MOSFET 的漏极和衬底之间额外增加了一个P+型层。小功率应用一般会使用IGBT单管，大功率应用一般是IGBT模块。

IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。

IGBT作为功率器件，主要作用是逆变开关作用。IGBT是一个非通即断的开关，但是兼具三极管和MOS管的优点，驱动功率小而饱和压降低。电压范围从最高到6500V，而MOS管最多也只有20-1500V，电压范围宽，功率更大。相比三极管有更高的频率，开关速度快。