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齐纳击穿 当PN结两边的掺杂浓度很高时,阻挡层将变很薄,在这种阻挡层中,载流子与中性原子相碰撞的机会极小,因而不容易发生碰撞 ... 显然,场致激发能够产出大量的载流子,使PN结的反向电流剧增,呈现反向击穿现象,这种击穿称为齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 雪...
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当PN结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿
雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。 齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏! 两者的区别对于稳压管来说,主要是: 电压低于5-6V的稳压管,齐纳击穿为主,稳压值的温度系数为负。 电压高于5-6V的稳压管,雪崩击穿为主,稳压管...
2个回答
材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强
雪崩击穿:当施加在集电结上的反向偏置将超过集电结所能承受范围时,这个PN结将被击穿,若电流足够大会造成器件损坏
雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高
这是关系到pn结基本原理的问题,在一般的电路书籍中不会讲到。 (1)“在高掺杂的情况下,耗尽层宽度很小”:由于耗尽层就是空间电荷区,其中的空间电荷主要是杂质电离中心提供的,因此掺杂浓度越大,电荷密度就越大,于是产生相同内建电场所需要的宽度就越小,即耗尽层宽度变小。 (2)“高掺杂情况下会发生雪崩击穿...
BJT(双极型晶体管)的穿通电压与雪崩击穿电压一道,都起着限制着晶体管最高工作电压的作用(由该二者的最低值决定)。 晶体管的穿通,就是在外加反向偏压还未达到集电结发生雪崩击穿时就出现了电流突然增大的一种现象,即提前发生“击穿”的一种效应。BJT发生穿通时所对应的反向偏压称为穿通电压。穿通效应产生...
这样通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下,使获得的能量增大
这种情况下,只有增加反向电压,才能发生雪崩击穿,因此雪崩击穿的电压温度系数是正的