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漏极与源极相关问答

  • 问: 场效应管的源极和漏极如何使?

    答:(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好

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  • 问: 什么是比较器的漏源电压?

    答:漏源电压:由于比较器仅有两个不同的输出状态(零电平或电源电压),且具有满电源摆幅特性的比较器的输出级为射极跟随器,这使得其输入和输出信号仅有极小的压差

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  • 问: 场效应管的源极和漏极有什么特点呢?

    答:场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负

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  • 问: MOSGFET怎么确定栅极 源极 漏?

    答:绝缘珊型场效应管 或者直接叫MOS管 具体计算要参见具体电路

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  • 问: 源极(Source)和漏极(Drain)之间的部分叫做什么呢?

    答:大家也把源极(Source)和漏极(Drain)之间的部分叫做沟道(Channel),在栅极氧化物上面是栅极(Gate)

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  • 问: MOS管的源极和漏极有什么区别?

    答:通道的极性与其漏极(drain)与源极相同,假设漏极和源极是ntype,那么通道也会是ntype

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  • 问: 漏极D和源极S是指什?

    答:当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S

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  • 问: NMOS的源极与漏极的标示有什么含?

    答:左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域

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  • 问: 漏源击穿电压是指什么?

    答:是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 源型与漏型脉冲输出接线有什么不同?

    答:所谓的源型和漏型是对于触点的电流方向来考虑的,电流从触点往外流的就是源型,就是所说的拉电流,反之就是漏型,也叫灌电流。一般源型的公共端接的是电源的正极,就是COM端,漏型的COM端接的是电源的负极,这个选型对于两线制的开关无所谓,像限位开关,但是对于三线制的开关就要小心了,比方说接近开关,源型使用的...

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 场效应管漏源静态伏安特性以什么为参变量?

    答:2:场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量,晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量

    物理学 1个回答

  • 问: 漏型和源型变频器怎么区分?

    答:源型和漏型,一般针对晶体管型电路而言,可以直接理解为IO电路向外提供/流出电流(源或称为source)或吸收/流入电流(漏或称为sink)。对于DO来说,一般PNP型晶体管输出为源型,输出模块内部已经接好电源,电流通过DO向外流出,不需要外接任何电源DO就可以直接驱动继电器。西门子300/400系列...

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 分别与源极s和漏极d相连的N+区是怎么做到?

    答:分别与源极s和漏极d相连的N+区,是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层,其作用是为源极s、漏极d提供低阻通路

    物理学 1个回答

  • 问: 结型场效应管在栅极没加电压之前,源极和漏极是不是通的?

    答:由结型场效应管的特性曲线可以看出,VGS=0时,IDs是很大的. 其实,结型场效应的特性曲线有点像电子管.只不过各极电压不同罢了. 看来你确如楼上"神机真人"所说的弄昏了头...... 只有N沟道(增强型)绝缘栅场效应管才是栅压为0时,漏极电流为0.

    答:  结型场效应管在Ugs=0时,是有Idss(饱和漏电流)的,只有在一定的-Ugs(夹断电压Up)时,Ids才为0。结型场效应管只有耗尽型,无论是结型N沟道,还是结型P沟道管,在Ugs=0时,都是有Idss的。   你的结论不知从何而来?是不是将增强型绝缘栅场效应管混到这里了?

    工程技术科学 3个回答

  • 问: 如何测试结型场效应管的栅极?

    答:结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 是否有别的方法?

    答:神经源性膀胱是世界性难题,现在没有比较有效的方法,即使有,也是实验性的治疗。 如果是外伤引起的,大多数在半年内会逐渐改善。现在临床上没有有效的治疗方法.如果不能排尿,应在无菌条件下导尿或造瘘。

    神经内科 1个回答

  • 问: 一个有关场效应管的问题

    答:

    答:导电沟道形成是因为g、s间的正电压,当Uds为零时因为s级接到g级对面的衬底面上(B端处),电场是关于g、B间连线对称的,而当Uds大于0后,s的d侧一边电压下降,电场强度下降,所以沟道就缩回去了,所以看着是斜的。夹断并不是电流不可能通过。此时Uds增大的同时夹断区也在扩大,电阻变强,两种势力平衡下...

    工程技术科学 2个回答

  • 问: 减小晶体管漏极源区域的深度会对晶体管有什么影响?

    答:而SOI不足在于必须减小晶体管漏极/源区域的深度,而这将导致晶体管阻抗的升高

    物理学 1个回答

  • 问: SI2350做开关时为什么漏极电压等于源极电压

    答:这就是开关的特性

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 半导体工业中的最小线宽指的是FET中源极到漏极的距离么?

    答:MOS工艺中最小线宽又叫特征尺寸,在设计时,常指的是MOSFET的栅极的长度L,理论上来说,栅极的长度就是它所控制的沟道长度(即漏极与源极之间的距离),但实际上,由于在源极与漏极进行掺杂时存在横向扩散,所以L其实是导电沟道的长度,在标准MOS工艺中,往往栅极会把沟道整个盖住,所以栅长是比沟道长度稍大...

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 是这样吗?

    答:功率三极管导通后C-E压降是随基极电流变化而急剧变化,就是基极电流的变化,引起C-E电阻的变化,实际是集电极电流变化,使得负载电阻上电压变化,看似C-E压降变化。 漏源极压降随导通电流大小而变化,这个变化是栅极电压变化造成的,也和负载电阻而变。

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 在电路中为什么MOSFET管的漏源击穿电压有着不同的要求?

    答:由MOS管在制作时确定的。或者在同一工艺下制作时,对大量元件筛选分档后的结果。

    答:场效应管的漏、源极耐压要比工作电压高二点多倍,这样在工作时所产生的尖峰电压(主要是感性器件)才不会损坏管子

    工程技术科学 4个回答

  • 问: 源极s和漏极d分别是哪三个单词的缩写?

    答:漏极,栅极(Gate——G,也叫做门极),源极(Source——S),漏极(Drain——D)场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管

    英语翻译 1个回答

  • 问: 脊髓损伤患者神经源性膀胱漏尿现象如何处?

    答:这个在医学上是很棘手的问题,没有特别好的治疗方法,治标的方法是做尿道造瘘。

    膀胱癌 1个回答

  • 问: 场效应管

    答:老鸟答得基本正确,但有一点要纠正,三用表,通称万用表,分指针式和数字式,表笔的颜色和极性正好相反,指针式黑正,红负(老鸟用的是这种);数字式是红正,黑负。用万用表量一下二极管即可知道。

    答:一)结型场效应管 1)P沟道结型场效应管可以当作NPN型晶体管来测量。判断极性时,用三用表电阻档RX100档,分别将黑表笔与三个电极接触,用红表笔与另外两的电及接触,当连续出现两个低电阻时,黑表笔接触的就是栅极,另外两个是源极和漏极,源漏两极可以互相交换,不必区别。 2)N沟道结型场效应管可以当作P...

    工程技术科学 3个回答

  • 问: mos管

    答:没有限制,可以同时或分别加电。如果有顺序那么在放大信号时电流可是变化的,有大、有小,有正、有负,电路还怎么工作?当然焊接时要求按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接。

    工程技术科学 1个回答

  • 问: 漏极D和源极S是指什?

    答:当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S

    物理学 1个回答

  • 问: 这个电路图中的电压比是怎么计算的 场效应管漏极和源极之间的电压是多少

    答:你的电路不完整,电压转换是通过控制MOS的导通率、由T2完成的。

    物理学 1个回答

  • 问: 芯片的漏极是指什么?

    答:由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N漂移区,最后垂直向下到达漏极D

    硬件 1个回答

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