关于MRAM
具体MRAM的读写方式,还有0,1的输入。 还望指教
具体MRAM:(Magnetic Random Access Memory)是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而 “随机存取”是指中央处理器读取资料时,不一定要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。
MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁性的方向为依据,存储为 0或 1。它存储的数据具有永久性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。它的速度与我们 PC所使用的内存相比更接近使用 GMR技术的,一般都有 25至 100n s,它拥有静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
MRAM是在 80年代初首次提出的。在 1994年,美国 Honeywe ll公司研发了一种使用巨磁阻(Giant Magneto Resistive, GMR)薄膜技术的 MRAM,并投入了生产。不过,由于它的读取写入时间过长并且集成度低,所以应用只局限于太空和军事领域。
近年来, MRAM再度发展起来,并以取代 DRAM装置为目标。 与现有的快闪内存(FLASH)、静态随机存取内存(SRAM)、动态随机存取内存(DRAM)相比, MRAM性能都是非常优秀的。 根据美国专业半导体研究机构 EDN分析,如将 MRAM与 DRAM、 SRAM、 FLASH等内存做比较,在“非挥发性”特色上,目前仅有 MRAM及 FLASH具此功能;而在“随机存取”功能上,则 FLASH欠缺此项功能,仅 MRAM、DRAM、SRAM具备随机存取优点。
就“读取速度”而言, MRAM及 SRAM的速度最快,同为 25~100n s,不过, MRAM仍比 SRAM快; DRAM则为 50~100n s,属于中级速度;相较之下, FLASH的速度最慢。 在写入次数上, MRAM、 DRAM以及 SRAM则都属同一等级,约可写入无限次的记忆,而 FLASH则只约可写入106次。
至于“芯片面积”的比较, MRAM与 FLASH同属小规格的芯片,所占空间最小; DRAM的芯片面积则是属于中等规格,SRAM更是属于大面积规格的芯片,其所占的空间最大。 在嵌入式设计规格方面,DRAM、SRAM、FLASH同属良率低、须增加芯片面积设计规格;而 MRAM则是拥有性能高、不须增加芯片面积的特殊设计。
最后在耗电量相比较,只有MRAM以及 SRAM拥有低耗电的优点, FLASH则是属于中级的耗电需求,至于 DRAM更是具有高耗电量的缺点。 。
答:128M是显示的你的物理内存的大小,除此之外,该界面上还显示有硬盘大小,显存大小等信息。 ram中文意思是随机存取存储器,它和ROM的区别就是RAM存储器上的内...详情>>
问:工程上电路的浪涌电流是300A左右,用35A的整流桥KBPC3510可以吗?电路...
答:工程上所使用的整流桥 都是按照1:2的比例来做的 比如说35A的整流桥 它能承受的电路电流就是10A左右 你的电流是10A 用KBPC3510没有问题...详情>>