戴尔和LSI正在服务器、RAID控制器和路由器中使用一种新的内存类型，预示着NAN??D闪存的替换。
这是一个被称为MRAM(磁性RAM)的非易失性记忆体形式。根据MRAM的开发商和制造商Everspin科技所说，MRAM已经发展了一段时间，现正由戴尔和LSI用于日志记忆功能。
他们宣布：
“戴尔正在他们的RAID存储解决方案中使用MRAM作为日志内存，其中包括Dell PowerEdge服务器和PowerVault直接连接存储(DAS)，以及戴尔EqualLogic存储区域网络(SAN)阵列。
”
Everspin的MRAM(Toggle MRAM)也在6Gb/s和12Gbit/s的LSI RAID控制卡上被用来作为日志内存，并且包括LSI为第三方RAID卡和板载RAID(ROMB)产品的提供的参考设计在内。
Everspin的首席执行官和总裁，Phil LoPresti说，针对RAID存储的需求：
“MRAM提供了对于元数据存储最佳的非易失性RAM解决方案。展望未来，我们看到我们的下一代自旋转矩MRAM产品，提供非易失性缓冲和缓存应用解决方案，以及交付一个新的纳秒级，GB/s的非易失性存储层。
”
Everspin说：
“[我们的]MRAM产品在存储元件上采用一个晶体管，一个磁性隧道结点(MTJ)的记忆体单元。。。 ST-MRAM的编程是驱动电流直接通过MTJ来改变极性方向，感应MTJ的阻抗来完成读操作，就像Toggle MRAM那样。
”
这个声称是为了简化MRAM单元，并降低其电力需求。
该公司在2011年出货的MRAM是他们在2010年的三倍之多。他们说已经拥有300家MRAM的客户并在2011年获得了250个新的MRAM优胜设计。
Objective分析机构的Jim Handy说：
“MRAM已获得接受为RAID控制器上非易失性SRAM的一个更好选择。”
Everspin这样表示 - 相比选择像NAND闪存那样的非易失性内存解决方案，MRAM消除了对外部元件，如??电阻、电容、电池或超级电容器，包括额外的电源故障逻辑电路的需要。
该公司表示，正是这种消除，提供了在整体成本最低的情况下最可靠的内存。
至于MRAM是否成为NAND闪存的替代品，又是另一回事。
答：指在等产量曲线上两种生产要素相互替代的比率。它表示增加一单位某种生产要素的投入量所能替代的另一种生产要素的数量，称为要素L替代要素K的边际技术替代率。详情>>
答：一般都是wifi 3G版也可以用手机卡。 希望对你有帮助 麻烦好评，谢谢详情>>
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