在硅熔体结晶的过程中，进人固体的杂质和留在硅熔体中的杂质，浓度不相同。这一现象就是分凝现象，又称为偏析现象。一般将进入固体的杂质浓度与留在硅熔体中的杂质浓度之比，称为分凝系数试验表明，各种杂质在硅中的分凝系数都不相同。 杂质对半导体有什么影响？实践证明，极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，自然也影响半导体器件的质量。例如，硅中，以105 : 1的比例掺入B杂质，电导率增加103倍。也就是，硅中掺人十万分之一的B杂质，其电导率增加1000倍。缺陷的影响也是极大的，所以对一般的硅平面器件，要求位错密度在103Cm-2以下，超过该值，将影响半导体的电导率和劣化器件的性质。
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