静态RAM存储单元的工作过程.DDUU
你回答的.第一.(((输入（如图，左边高电平-即Q3的c极，右边输入低电平-即Q4的c极）Q3 b-e间通?因该是.Q3的C和E导通吧?)))第二.是怎样形成高电平输出.这图是NPN管.电源是接在Q3的E极的啊.E极的电流是不能流到C极的啊?我的Q是 3
。第一。(((输入（如图，左边高电平-即Q3的c极，右边输入低电平-即Q4的c极）Q3 b-e间通?因该是。Q3的C和E导通吧?))) Q3 b-e间通 是因， 导致 Q3 趋向导通 -》 Q3 c-e间压差减小 （注意的情况是， ce间压差小到如0。
3v时，可近似认为完全导通） 第二。是怎样形成高电平输出。这图是NPN管。电源是接在Q3的E极的啊。E极的电流是不能流到C极的啊? Q3 e极形成高电平的原因正是因为 Q3的c极和e极之间的压差变得很小了，如c极5v（来自左边高电平输入），那么Q3的e极则约为5-0。
3v，那约是4。7v，在高电平的区间内 ----是不是因为。Q3的E是高电平。所以字选择线的脉冲信号输出到了Q3的C集电极里啊? 应该不是。 这个图中应是：数据输入信号与Q3的c极连通，与字选信号不连通。 另外关于Q3e极为何是高电平的原因，除了Q3导通后，导致其e极电平向其c极电平靠拢，还有来自Q2的c极（即Q1的 b极）的反馈：Q2因其b极的电压的抬高（源于Q3的导通），导致Q2趋向导通，Q2的c极电平向其e极电平靠拢（Q2的e极是坐在地上的），因此 Q2的c极电平也往下落，这导致Q1的b极电平也往下落，（可认为接近于0）那么Q1就趋向截止， Q1截止后，其 c e间可看成完全断开，Q1的c极向与之连接的vcc 5v靠拢 以上多重因此导致整个系统像翘翘版的一段完全失去平衡往下落最后稳定下来。
注意的是，当字选信号完结后，Q3， Q4都变为截止 （b点位低于e电位，必截止）但这不影响Q1 c极和 Q2 c极的电平 。
答：...三极管怎样输出高电平.不懂? 只需如下理解：（以NPN为例） 当三极管 b e 之间加有大于0.7v （如 3v）时，那么 该管子趋向导通，管子越通，则他...详情>>
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