不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用. 补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的BE结都有反向击穿电压都是6V这特性，利用这特性可鉴别管子的C和E脚，用10K档分别测BC和BE的反向电阻，击穿的是BE结。
反向击穿电压，是可以通过半导体材料选择、掺杂质的浓度、PN结的制造工艺等进行控制的。PN结反向击穿电压的数值，可以从几伏到几千伏。 稳压二极管就是工作在反向击穿状态，电压可以从几伏到几百伏。整流二极管反向击穿电压通常在几十伏到几千伏。 一般来说，三极管B-C间反向击穿电压在几十伏到几百伏之间；E-B间反向击穿电压在几伏到十几伏之间。扩散型硅高频三极管E-B间反向击穿电压通常在6V左右，可以用来代替6V左右的小功率稳压管。
PN结的击穿特性
当PN结上加的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PN结的反向击穿。PN结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压，用VB表示。反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。
1．雪崩击穿
当反向电压较高时，结内电场很强，使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。
当它与结内原子发生直接碰撞时，将原子电离，产生新的"电子一空穴对"。这些新的"电子一空穴对"，又被强电场加速再去碰撞其它原子，产生更多的"电子一空穴对"。如此链锁反应，使结内载流子数目剧增，并在反向电压作用下作漂移运动，形成很大的反向电流。这种击穿称为雪崩击穿。
显然雪崩击穿的物理本质是碰撞电离。
2．齐纳击穿
齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。
它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。
采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。
二极管和三极管PN结的反向击穿电压都不一样，bc结是反向电压，同样有各种击穿电压。
稳压管也有各种电压。当然都有最大电流设计。
问：PN结的反向击穿电压是多少?二极管三极管和稳压管是否一样呢?
答：不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用. 补充...详情>>
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